[发明专利]一种可减少缺陷的显影方法无效
申请号: | 201019063040.X | 申请日: | 2010-02-05 |
公开(公告)号: | CN101770185A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 李钢 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G03F7/30 | 分类号: | G03F7/30 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种可减少缺陷的显影方法。现有技术中55至85mm/s的显影扫描速度范围导致在低至55mm/s和高至85mm/s的显影扫描速度时晶圆表面缺陷较多。本发明的可减少缺陷的显影方法先提供显影模块和表面涂敷有光刻胶且已完成曝光工艺的晶圆,该显影模块具有承片台和显影喷头;然后将该晶圆设置在该承片台上且驱动显影喷头扫描喷涂显影液,扫描喷涂显影液的速度范围为65至75mm/s;接着静置预设时段使显影液与光刻胶反应。本发明可避免扫描速度较低所造成的显影液过多而溅污显影喷头并导致缺陷较多的现象,也可避免扫描速度较高所造成的显影液过少而造成显影不足和缺陷较多的现象,本发明可有效提高显影质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 减少 缺陷 显影 方法 | ||
【主权项】:
一种可减少缺陷的显影方法,包括以下步骤:a、提供显影模块和表面涂敷有光刻胶且已完成曝光工艺的晶圆,该显影模块具有承片台和显影喷头;b、将该晶圆设置在该承片台上且驱动显影喷头扫描喷涂显影液;c、静置预设时段使显影液与光刻胶反应;其特征在于,在步骤b中,显影喷头扫描喷涂显影液的速度范围为65至75mm/s。
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