[实用新型]具有两组电极的垂直结构LED芯片无效
申请号: | 201020002560.8 | 申请日: | 2010-01-22 |
公开(公告)号: | CN201868466U | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 彭晖 | 申请(专利权)人: | 金芃;彭晖 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100871 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 具有两组电极的垂直结构LED芯片的结构包括,导电的支持衬底和键合在导电的支持衬底上的外延层。外延层包括N-类型限制层、活化层和P-类型限制层。P-类型限制层键合在导电的支持衬底上。每个该垂直结构LED芯片具有两组电极,每组电极包括P-电极和N-电极。导电的支持衬底作为两组电极的共同的P-电极。每组N-电极分别形成在该垂直结构LED芯片的N-类型限制层的预定位置上。把两组电极反向并联后与交流电源相连接,允许较低电压的交流电驱动。因此,无论是交流电的正半周还是负半周,都通过具有两组电极的垂直结构LED芯片流动,提高了采用单个或数个具有两组电极的垂直结构LED芯片组成的交流电驱动的整体电路的发光效率。 | ||
搜索关键词: | 具有 电极 垂直 结构 led 芯片 | ||
【主权项】:
一种具有两组电极的垂直结构LED芯片,其特征在于,所述的具有两组电极的垂直结构LED芯片包括,导电的支持衬底和外延层;所述的外延层包括N 类型限制层、活化层和P 类型限制层;所述的P 类型限制层键合在所述的导电的支持衬底上;所述的具有两组电极的垂直结构LED芯片具有两组电极,所述的每组电极包括P 电极和N 电极;所述的导电的支持衬底是所述的两组电极的共同的所述的P 电极;每组的所述的N 电极分别形成在所述的N 类型限制层的预定位置上。
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