[实用新型]金属氧化物场效应二极管及MOS二极管无效
| 申请号： | 201020022576.5 | 申请日： | 2010-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN201611660U | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 王毅;施立秋;沈克强;蒋李望 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L27/08 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 奚衡宝 |
| 地址： | 225008 江苏省扬州市平*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 金属氧化物场效应二极管及MOS二极管。涉及一种二极管元胞以及由多个元胞集成的二极管芯片。以硅片为基材，它包括栅、源、漏、源N+区、漏N+区、P+区、P阱区、正极片和负极片；源N+区的顶面为源极，漏N+区的底面为漏极，栅的顶面为栅极；硅片设有上、下两层，上层为高阻区，下层为漏N+区；源N+区、P+区和P阱区均设于高阻区的上部；正极片设于硅片顶面，负极片设于漏N+区的底面；栅极和源极相互短接；源N+区同栅、P+区、P阱区及正极片相连；P+区还同P阱区及正极片相连；P阱区还同栅及高阻区相连。本实用新型中通过MOS工艺集成的MOS二极管它包含至少二个所述一种金属氧化物场效应二极管，相互并联集成于所述硅片上。本实用新型的产品速度快，频率高。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 场效应 二极管 mos | ||
【主权项】：
金属氧化物场效应二极管，以硅片为基材，其特征在于，它包括栅、源、漏、源N+区、漏N+区、P+区、P阱区、正极片和负极片；源N+区的顶面为源极，漏N+区的底面为漏极，栅的顶面为栅极；所述硅片设有上、下两层，上层为高阻区，下层为漏N+区；所述源N+区、P+区和P阱区均设于所述高阻区的上部；所述正极片设于硅片顶面，负极片设于漏N+区的底面；所述栅极和源极相互短接；所述源N+区同栅、P+区、P阱区及正极片相连；P+区还同P阱区及正极片相连；P阱区还同栅及所述高阻区相连。
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