[实用新型]ESD保护电路无效
| 申请号： | 201020037540.4 | 申请日： | 2010-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN201616667U | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 何弢;陈瑜;王佐 | 申请（专利权）人： | 成都智金石科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H01L23/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于保护功能模块的ESD保护电路，其具有ESD保护模块、CMOS驱动模块和源地保护模块，其中，所述ESD保护模块连接在输入焊盘(IN)和地(GND)之间，所述CMOS驱动模块连接在电源(VDD)和地(GND)之间并且所述CMOS驱动模块的输出端(2)与输出焊盘(OUT)连接，所述源地保护模块连接在所述电源(VDD)和所述地(GND)之间。本实用新型的ESD保护电路结构简单，成本低廉，并且能够提供可靠的ESD保护。 | ||
| 搜索关键词： | esd 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种ESD保护电路，其用于保护功能模块，所述ESD保护电路具有ESD保护模块、CMOS驱动模块和源地保护模块，其特征在于，所述ESD保护模块连接在输入焊盘(IN)和地(GND)之间，所述CMOS驱动模块连接在电源(VDD)和地(GND)之间并且所述CMOS驱动模块的输出端(2)与输出焊盘(OUT)连接，所述源地保护模块连接在所述电源(VDD)和所述地(GND)之间，其中，所述源地保护模块包括至少两个二极管(D1、D2)和至少一个第NMOS(N2)，其中，所述至少两个二极管之一(D1)的正极与所述电源(VDD)连接并且其负极与另一个二极管(D2)的正极连接，所述另一个二极管(D2)的负极与所述地(GND)相连接，所述至少两个二极管(D1、D2)的彼此间的连接点与所述CMOS驱动模块的所述输出端(2)连接，所述至少一个第NMOS(N2)的漏端与所述电源(VDD)连接并且其源极、栅极和衬底均与所述地(GND)相连接。
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