[实用新型]ESD保护电路无效
申请号: | 201020037540.4 | 申请日: | 2010-01-05 |
公开(公告)号: | CN201616667U | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 何弢;陈瑜;王佐 | 申请(专利权)人: | 成都智金石科技有限公司 |
主分类号: | H02H9/00 | 分类号: | H02H9/00;H01L23/60 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种用于保护功能模块的ESD保护电路,其具有ESD保护模块、CMOS驱动模块和源地保护模块,其中,所述ESD保护模块连接在输入焊盘(IN)和地(GND)之间,所述CMOS驱动模块连接在电源(VDD)和地(GND)之间并且所述CMOS驱动模块的输出端(2)与输出焊盘(OUT)连接,所述源地保护模块连接在所述电源(VDD)和所述地(GND)之间。本实用新型的ESD保护电路结构简单,成本低廉,并且能够提供可靠的ESD保护。 | ||
搜索关键词: | esd 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种ESD保护电路,其用于保护功能模块,所述ESD保护电路具有ESD保护模块、CMOS驱动模块和源地保护模块,其特征在于,所述ESD保护模块连接在输入焊盘(IN)和地(GND)之间,所述CMOS驱动模块连接在电源(VDD)和地(GND)之间并且所述CMOS驱动模块的输出端(2)与输出焊盘(OUT)连接,所述源地保护模块连接在所述电源(VDD)和所述地(GND)之间,其中,所述源地保护模块包括至少两个二极管(D1、D2)和至少一个第NMOS(N2),其中,所述至少两个二极管之一(D1)的正极与所述电源(VDD)连接并且其负极与另一个二极管(D2)的正极连接,所述另一个二极管(D2)的负极与所述地(GND)相连接,所述至少两个二极管(D1、D2)的彼此间的连接点与所述CMOS驱动模块的所述输出端(2)连接,所述至少一个第NMOS(N2)的漏端与所述电源(VDD)连接并且其源极、栅极和衬底均与所述地(GND)相连接。
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