[实用新型]三相共箱主母线内部导体连接结构有效

专利信息
申请号: 201020102249.0 申请日: 2010-01-26
公开(公告)号: CN201623376U 公开(公告)日: 2010-11-03
发明(设计)人: 王传川;王文文;刘根锋;张蓁 申请(专利权)人: 中国西电电气股份有限公司
主分类号: H02B1/20 分类号: H02B1/20;H01R13/02;H01R13/15
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710075*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型公开一种三相共箱主母线内部导体连接结构,涉及高电压电力系统中的电力设备领域,主要包括有盆式绝缘子、导体和触头座,触头座上装有屏蔽罩,其特征是导体上端连接到盆式绝缘子的嵌件上,连接后导体呈悬垂状态,导体下端与其轴线垂直的平面上安装触头座,中心导体与触头座水平插装连接;所述的触头座上装有弹簧触指,所述的中心导体与弹簧触指紧密接触,所述的触头座上装有引导和支持中心导体的支撑环。与现有技术相比,本实用新型具有导体装配环节少,结构简单,所需零部件数量少的优点。
搜索关键词: 三相 共箱主 母线 内部 导体 连接 结构
【主权项】:
三相共箱主母线内部导体连接结构,主要包括有盆式绝缘子、导体和触头座,触头座上装有屏蔽罩,其特征在于:导体上端连接到盆式绝缘子的嵌件上,连接后导体呈悬垂状态,导体下端与其轴线垂直的平面上安装触头座,中心导体与触头座水平插装连接。
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