[实用新型]一种高压变频器功率单元的旁通检测电路有效
| 申请号： | 201020105037.8 | 申请日： | 2010-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN201594120U | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 褚立峰;张大为;顾英 | 申请（专利权）人： | 北京动力源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R19/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100070 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种高压变频器功率单元的旁通检测电路，通过检测旁通电路中可控硅的两侧压降的变化来判断可控硅是否导通，该电路包括充放电电路，可控硅断开时，逆变输出电压给电容(C1)充电，且可控硅导通时，电容(C1)放电；反馈电路，电容(C1)充电时，三极管(V5)基极获得导通电压时，其集电极上的电压发生改变，且电容(C1)放电时，三极管(V5)基极丧失导通电压，其集电极上的电压为一设定电压；信号输出端(BYPA)，三极管(V5)集电极上的电信号就是信号输出端(BYPA)的电信号，其与控制系统相连。采用本实用新型能够可靠的检测出可控硅是否导通成功，具有很强的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 变频器 功率 单元 旁通 检测 电路 | ||
【主权项】：
一种高压变频器功率单元的旁通检测电路，通过检测旁通电路中可控硅的两侧压降的变化来判断可控硅是否导通，并上报控制系统，其特征在于包括：充放电电路，可控硅断开时，逆变输出电压给电容(C1)充电，且可控硅导通时，电容(C1)放电；反馈电路，电容(C1)充电时，三极管(V5)基极获得导通电压时，其集电极上的电压发生改变，且电容(C1)放电时，三极管(V5)基极丧失导通电压，其集电极上的电压为一设定电压；信号输出端(BYPA)，三极管(V5)集电极上的电信号就是信号输出端(BYPA)的电信号，其与控制系统相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京动力源科技股份有限公司，未经北京动力源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201020105037.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种主波复用脉冲雷达接收机
- 下一篇：套管型单相计量高压电能表
