[实用新型]一种等离子体内壁材料损伤状态的实时监测装置无效

专利信息
申请号: 201020113632.6 申请日: 2010-02-08
公开(公告)号: CN201655344U 公开(公告)日: 2010-11-24
发明(设计)人: 王波;段亚飞;张颖;吕广宏 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G21C17/00 分类号: G21C17/00
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 成金玉
地址: 100190*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种等离子体内壁材料损伤状态的实时监测装置,包括:谐振复合元件、水冷屏蔽壳、导线及谐振频率测量仪;所述谐振复合元件是能够随着内壁材料性能状态的变化而产生谐振频率变化的元件,它包括片状压电晶体片、内壁材料薄层、电极和防护层,在片状压电晶体片的一个表面上复合上一层与之紧密接触的内壁材料薄层,片状压电晶体片的另一个表面上复合两个电极,从而组成一个谐振复合元件;谐振复合元件的侧面和背面是零电位的水冷屏蔽壳,用以屏蔽环境电磁场对谐振复合元件的干扰,并利用冷却水防止等离子体产生的高温烧毁元件;谐振复合元件经由两个电极分别与两路导线的一端连接,两路导线的另一端连接到谐振频率测量仪。本实用新型实现了对等离子体内壁材料的损伤状态进行的实时监测。
搜索关键词: 一种 等离子体 内壁 材料 损伤 状态 实时 监测 装置
【主权项】:
一种等离子体内壁材料损伤状态的实时监测装置,其特征在于包括:谐振复合元件、水冷屏蔽壳、导线及谐振频率测量仪;所述谐振复合元件是能够随着内壁材料性能状态的变化而产生谐振频率变化的元件,它包括片状压电晶体片、内壁材料薄层、电极和防护层,在片状压电晶体片的一个表面上复合上一层与之紧密接触的内壁材料薄层,片状压电晶体片的另一个表面上复合两个电极,从而组成一个谐振复合元件;谐振复合元件的侧面和背面是零电位的水冷屏蔽壳;谐振复合元件经由两个电极分别与两路导线的一端连接,两路导线的另一端连接到谐振频率测量仪。
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