[实用新型]一种QFN/DFN无基岛芯片封装结构无效

专利信息
申请号: 201020134238.0 申请日: 2010-03-11
公开(公告)号: CN201623156U 公开(公告)日: 2010-11-03
发明(设计)人: 李国发;陈俊毅;翁加林 申请(专利权)人: 苏州固锝电子股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 马明渡
地址: 215153 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种QFN/DFN无基岛芯片封装结构,包括晶粒、导电焊盘、金线以及环氧树脂,所述导电焊盘中间区域设有至少一个中间引脚,该中间引脚位于所述晶粒正下方,与所述晶粒之间涂有绝缘胶层,该中间引脚与位于所述导电焊盘内并延伸到其边缘的导电连茎的一端连接,该导电连茎下部设有下部半腐蚀缺口,导电连茎的另一端与晶粒通过金线连接;所述导电焊盘边缘区域设有至少一个边缘引脚。本实用新型扩增引脚数量,提高引脚数量和芯片尺寸比例,从而有利于芯片封装结构的缩小和芯片功能的扩展。
搜索关键词: 一种 qfn dfn 无基岛 芯片 封装 结构
【主权项】:
一种QFN/DFN无基岛芯片封装结构,包括晶粒(1)、导电焊盘(2)、金线(3)以及环氧树脂(4),其特征在于:所述导电焊盘(2)中间区域设有至少一个中间引脚(5),该中间引脚上部设有上部半腐蚀缺口(10),该中间引脚(5)位于所述晶粒(1)正下方,与所述晶粒(1)之间涂有绝缘胶层(6),该中间引脚(5)与位于所述导电焊盘(2)内并延伸到其边缘的导电连茎(7)的一端连接,该导电连茎(7)的另一端与晶粒(1)通过金线(3)连接,该导电连茎(7)下部设有下部半腐蚀缺口(8);所述导电焊盘(2)边缘区域设有至少一个边缘引脚(9),该边缘引脚(9)与所述晶粒(1)之间涂有绝缘胶层(6),且通过金线(3)与所述晶粒(1)连接,其余封装空间中填充所述环氧树脂(4)。
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