[实用新型]三氯氢硅合成炉的冷却装置无效

专利信息
申请号: 201020139834.8 申请日: 2010-03-25
公开(公告)号: CN201648007U 公开(公告)日: 2010-11-24
发明(设计)人: 任玉芬 申请(专利权)人: 任玉芬
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 唐山顺诚专利事务所 13106 代理人: 于文顺
地址: 063021 河北省唐*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 实用新型涉及一种三氯氢硅生产(包括四氯化硅氢化生产三氯氢硅)过程中设备冷却装置,特别是三氯氢硅合成炉的冷却装置。技术方案是采用热管(2)间接传热,热管的吸热端(3)设置在反应区(5)内,热管的放热端(4)设置在蒸发室(6)内,蒸发室内通入液体介质,热管的放热端和吸热端之间用管板(7)完全隔开。本实用新型的有益效果:由于采用热管在中间传递热量,液体介质与反应区完全隔开,从根本上杜绝了管子一旦损坏,液体介质进入反应区内造成事故,即使某根热管损坏,也仅仅是该根热管内很少的介质进入反应区,不会产生影响和事故;本实用新型可以降低反应温度,抑制副产品SiCl4的生成,提高产品收率。本实用新型同时可产生带压蒸汽,按产量为15t/d的合成炉计算,每天产生0.25MPa低压蒸汽的量为12t,节能降耗。
搜索关键词: 三氯氢硅 合成 冷却 装置
【主权项】:
一种三氯氢硅合成炉的冷却装置,其特征是包含热管(2)、蒸发室(6),热管的吸热端(3)置于合成炉的反应区内,热管的放热端(4)设置在蒸发室内,蒸发室内通入液体介质,热管的放热端和吸热端之间隔开。
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