[实用新型]MEMS传感器无效
| 申请号： | 201020154572.2 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN201610373U | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 李刚;胡维 | 申请（专利权）人： | 苏州敏芯微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215006 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种MEMS传感器，包括单晶硅片以及覆盖在单晶硅片上且用以感受外界压力的单晶硅薄膜，所述单晶硅片包括正面、背面、自正面向下延伸的倒金字塔状网状硅膜、位于网状硅膜下方且与网状硅膜连通的腔体、自背面凹设的背腔及连通腔体与背腔的深槽，所述单晶硅薄膜覆盖在单晶硅片的正面且与网状硅膜相接触，该单晶硅薄膜不会在后续的刻蚀或腐蚀工艺中受到影响，进而使该单晶硅薄膜厚度的一致性与均匀性容易控制。 | ||
| 搜索关键词： | mems 传感器 | ||
【主权项】：
一种MEMS传感器，其特征在于：包括单晶硅片以及覆盖在单晶硅片上且用以感受外界压力的单晶硅薄膜，所述单晶硅片包括正面、背面、自正面向下延伸的剖面为倒三角形状的网状硅膜、位于网状硅膜下方且与网状硅膜连通的腔体、自背面凹设的背腔及连通腔体与背腔的深槽，所述单晶硅薄膜覆盖在单晶硅片的正面且与网状硅膜相接触。
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