[实用新型]连续浇铸单晶硅带的设备无效
| 申请号： | 201020179627.5 | 申请日： | 2010-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN201620208U | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 李涛;潘庆乐;克诺佩尔·德鲁 | 申请（专利权）人： | 斯必克公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/14 |
| 代理公司： | 上海衡方知识产权代理有限公司 31234 | 代理人： | 卞孜真 |
| 地址： | 美国北卡罗来纳州夏洛*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于形成单晶硅带的设备。该设备包括硅熔融物在其中形成的坩埚。熔融物被允许大致垂直地流出坩埚并在固化之前与硅种晶接触。在固化为带之后，带的进一步冷却在受控条件下发生，而带最终被切割。 | ||
| 搜索关键词： | 连续 浇铸 单晶硅 设备 | ||
【主权项】：
一种设备，用于形成硅带，该设备包括：一坩锅，被设置为容纳硅熔融物；一管道，与坩锅相邻并被设置为允许熔融物流经其中；一管道加热系统，与管道相邻并被设置为控制流经管道的熔融物的温度；以及一固定器，被设置为支撑硅种晶与熔融物接触并进一步被设定为沿大致水平方向移动硅种晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯必克公司，未经斯必克公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201020179627.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
