[实用新型]直拉硅单晶炉装置无效
| 申请号： | 201020182937.2 | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN201648562U | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 周俭 | 申请（专利权）人： | 内蒙古晟纳吉光伏材料有限公司;周俭 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京元中知识产权代理有限责任公司 11223 | 代理人： | 王明霞 |
| 地址： | 010080 内蒙古自治*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种提高单晶硅纯度的直拉硅单晶炉装置，该单晶炉装置的特征在于，在炉腔(16)中硅熔体(14)的上方设置一个两端开口长筒形的罩体(5)，所述罩体(5)的上端设置于炉腔的上部，开口正对着副室，或设置于副室(1)内，罩体(5)与硅熔体(14)液面接近的一端与硅熔体(14)液面具有一间距。利用带有罩体的单晶炉装置所拉制的单晶硅的纯度比现有技术的单晶炉装置所得单晶的纯度提高了10倍以上，并且单晶硅棒各部分的纯度偏差也较小。 | ||
| 搜索关键词： | 直拉硅单晶炉 装置 | ||
【主权项】：
一种直拉硅单晶炉装置，其包括副室(1)、炉腔(16)、热屏支撑板(6)、热屏(7)、保温层(15)、石英坩埚(10)、石墨坩埚(11)、加热器(13)，其特征在于，在炉腔(16)中硅熔体(14)的上方设置一个两端开口的罩体(5)，所述罩体(5)沿着单晶硅生长的方向、且罩体(5)的开口正对着单晶硅的方向设置，罩体(5)与硅熔体(14)液面接近的一端与硅熔体(14)液面具有一间距。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于内蒙古晟纳吉光伏材料有限公司;周俭，未经内蒙古晟纳吉光伏材料有限公司;周俭许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201020182937.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种消音控制器
- 下一篇：一种可更换零件的汽车拉杆球头
