[实用新型]晶圆移转缓冲装置有效
| 申请号： | 201020190405.3 | 申请日： | 2010-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN201732775U | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 黄祥豪 | 申请（专利权）人： | 致茂电子(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 11239 | 代理人： | 孙刚 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种晶圆移转缓冲装置，由一缓冲容置架及一驱动机构所组成，其中该缓冲容置架设置于驱动机构上方，而该晶圆移转缓冲装置则设置于两个晶圆承载装置的输送带间，为一可缓冲容置晶圆的装置，因此当晶圆承载装置因故而无法容置晶圆时，可由驱动机构进行升降控制，使在输送带中移载的晶圆陆续暂存于缓冲容置架的容置空间中，以避免因晶圆相互碰撞而导致晶圆的毁损。 | ||
| 搜索关键词： | 移转 缓冲 装置 | ||
【主权项】：
一种晶圆移转缓冲装置，设置于两个晶圆承载装置的输送带间，其特征在于该晶圆移转缓冲装置包含：一缓冲容置架，其中包含有一组容置架，该组容置架跨设于输送带两侧，该组容置架的相对壁面上形成有多个用以提供晶圆置放的至少一容置晶圆空间的凹槽；以及一设置于缓冲容置架下方以调整高度使输送带通过缓冲容置架不同高度位置的驱动机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
