[实用新型]太阳能硅片中转存放盒无效
申请号: | 201020192841.4 | 申请日: | 2010-05-18 |
公开(公告)号: | CN201673920U | 公开(公告)日: | 2010-12-15 |
发明(设计)人: | 巢鹏瑜 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/673;H01L21/683 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 周祥生 |
地址: | 213200 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种太阳能硅片中转存放盒,由棱面和台面围合而成,在台面上设有硅片存放凹坑和吹气凹坑,两个吹气凹坑设置在硅片存放凹坑的对角处,在硅片存放凹坑和吹气凹坑的底部均设有凸出筋,硅片存放凹坑和吹气凹坑的截面形状均为锥体形,上大下小,硅片存放凹坑和吹气凹坑的背面与四个棱面的背面之间均存有间隙。整个硅片中转存放盒设计成锥形,上小下大,这种结构的硅片存放盒可以相互套装存放,占有空间小,用材料少,重量轻。在硅片存放凹坑和吹气凹坑的底部设有凸出筋,增强了硅片存放凹坑和吹气凹坑底部的强度,减少了最底硅片与硅片存放凹坑底面的接触面积,防止硅片被颗料物压碎,同时被灰尘污染的可能进一步降低。 | ||
搜索关键词: | 太阳能 硅片 中转 存放 | ||
【主权项】:
一种太阳能硅片中转存放盒,其特征是:它由四个棱面(1)和台面(2)围合而成的四棱锥台体,在台面(2)上设有硅片存放凹坑(3)和吹气凹坑(4),两个吹气凹坑(4)设置在硅片存放凹坑(3)的对角处,在硅片存放凹坑(3)和吹气凹坑(4)的底部均设有凸出筋(5),在硅片存放凹坑(3)的侧面设有定位槽(6),硅片存放凹坑(3)和吹气凹坑(4)的截面形状均为锥体形,上口大,下口小,硅片存放凹坑(3)和吹气凹坑(4)的背面与四个棱面(1)的背面之间均存有间隙(8)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的