[实用新型]产生磁性偏置场的多层薄膜结构有效
| 申请号： | 201020217387.3 | 申请日： | 2010-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN201820566U | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王建国;薛松生 | 申请（专利权）人： | 王建国;薛松生 |
| 主分类号： | H01F10/10 | 分类号： | H01F10/10;H01F10/12 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种产生磁性偏置场的多层薄膜结构。其包括种子层与保护层；在种子层与保护层间可以设置至少一层磁性被钉扎层、至少一层非磁性钉扎层或是设置硬磁层；所述非磁性钉扎层为磁性被钉扎层提供磁性钉扎场，所述磁性钉扎场的方向与磁性偏置场的方向相同，磁性钉扎场能够保持磁性偏置场方向的稳定；当种子层与保护层间设置硬磁层时，种子层与保护层的外周面上缠绕有电流导线，电流导线在通入电流时，能够对硬磁层产生的磁性偏置场进行校正。本实用新型能够在受到较大外磁场干扰，并在外磁场撤掉后，所产生的磁性偏置场可以恢复，从而使磁性传感器系统可以正常工作，且没有功耗方面的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 磁性 偏置 多层 薄膜 结构 | ||
【主权项】：
一种产生磁性偏置场的多层薄膜结构，其特征是，包括：种子层；至少一层磁性被钉扎层，所述磁性被钉扎层产生磁性偏置场；至少一层非磁性钉扎层，所述非磁性钉扎层为磁性被钉扎层提供磁性钉扎场，所述磁性钉扎场的方向与磁性偏置场的方向相同，磁性钉扎场能够保持磁性偏置场方向的稳定。
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