[实用新型]ITO-Zr透明导电膜有效
| 申请号： | 201020218343.2 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN201809433U | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 曾鸿斌 | 申请（专利权）人： | 深圳市海森应用材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 深圳市睿智专利事务所 44209 | 代理人： | 陈鸿荫;郭文姬 |
| 地址： | 518108 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种ITO-Zr透明导电膜，包括透明基材层和在所述透明基材层上沉积ITO导电膜时通过Zr掺杂处理所获得的ITO-Zr导电层。与现有技术相比，本实用新型具有以下技术效果：其在常温20℃下沉积的ITO-Zr膜电阻率较之常规ITO膜降低65％以上，可见光透过率提高约2％，热稳定性和耐化学性都有明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | ito zr 透明 导电 | ||
【主权项】：
一种ITO Zr透明导电膜，其特征在于：包括透明基材层(1)和在所述透明基材层上沉积ITO导电膜时通过Zr掺杂处理所获得的ITO Zr导电层(2)。
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