[实用新型]无邦定线的IGBT功率模块无效
申请号: | 201020236753.X | 申请日: | 2010-06-24 |
公开(公告)号: | CN201773840U | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
发明(设计)人: | 李伟;何文牧;沈征 | 申请(专利权)人: | 浙江华芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L23/485 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 徐关寿 |
地址: | 311121 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供一种完全避免使用邦定线互联的IGBT功率模块,从而达到减小线路互联寄生阻抗,机械热疲劳失效及热阻的效益,它包括铜合金底板、焊接于铜合金底板上的陶瓷覆铜基板、设置于陶瓷覆铜基板上的IGBT芯片和二极管芯片以及设置于铜合金底板上的外壳,IGBT和二极管之间通过刻蚀于陶瓷覆铜基板上的铜引线电连接,IGBT和二极管底面上的电极倒扣焊接于铜引线上;IGBT和二极管顶面上的电极通过金属互联片与陶瓷覆铜基板上的铜引线电连接。本实用新型有益效果在于:通过金属互联片连接各IGBT和二极管的顶面电极和陶瓷覆铜基板,减小IGBT模块互联寄生阻抗,并且能从金属互联片的上表面传走一部分热量从而降低了模块热阻,提高了模块的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 无邦定线 igbt 功率 模块 | ||
【主权项】:
无邦定线的IGBT功率模块,包括铜合金底板、焊接于铜合金底板上的陶瓷覆铜基板、设置于陶瓷覆铜基板上的IGBT芯片和二极管芯片以及设置于铜合金底板上的外壳,IGBT和二极管之间通过刻蚀于陶瓷覆铜基板上的铜引线电连接,其特征在于:所述IGBT和二极管底面上的电极倒扣焊接于铜引线上;IGBT和二极管顶面上的电极通过金属互联片与铜引线电连接。
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