[实用新型]一种减少穿通时间的可控硅结构有效
| 申请号： | 201020240872.2 | 申请日： | 2010-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN201804873U | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 耿开远;周健;朱法扬 | 申请（专利权）人： | 启东吉莱电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/10 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226224 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种减少穿通时间的可控硅结构，包括阴极区、P-短基区、长基区、台面槽和硼穿通扩散区，所述台面槽内覆有玻璃钝化层，所述硼穿通扩散区设于长基区的左右两侧，其特征是所述每个硼穿通扩散区的上下两角均开有穿通槽，所述穿通槽的深度为10-20μm。本实用新型为减少穿通时间，采用挖槽的形式对穿通环部分厚度进行减薄，形成穿通槽，使得实际需要穿通的厚度等于或小于230微米，使得穿通时间小于180小时，达到或低于常规稳定工艺条件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 时间 可控硅 结构 | ||
【主权项】：
一种减少穿通时间的可控硅结构，包括阴极区、P 短基区、长基区、台面槽和硼穿通扩散区，所述台面槽内覆有玻璃钝化层，所述硼穿通扩散区设于长基区的左右两侧，其特征是所述每个硼穿通扩散区的上下两角均开有穿通槽，所述穿通槽的深度为10 20μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于启东吉莱电子有限公司，未经启东吉莱电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201020240872.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种LED支架的定位装置
- 下一篇：一种降脂、护肝中药保健茶及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
