[实用新型]多晶硅还原炉进料喷嘴有效

专利信息
申请号: 201020242527.2 申请日: 2010-06-30
公开(公告)号: CN201785200U 公开(公告)日: 2011-04-06
发明(设计)人: 王勃;邱健源;龙兴文;陈强 申请(专利权)人: 峨嵋半导体材料研究所
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 徐宏;吴彦峰
地址: 614200 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型公开了一种多晶硅还原炉进料喷嘴,连接在还原炉底盘的进料口处,所述进料喷嘴上部为喷嘴段,下部为连接段,所述进料喷嘴内部设有喷嘴孔,所述进料喷嘴与还原炉底盘的连接方式为可拆卸式连接,可以根据现场实际情况调节喷嘴大小,简化了工艺调节过程,通过更换不同直径的喷嘴孔的喷嘴来改变进料管道上的进料流速、流量等参数从而使产品表面光滑、有灰金属光泽度,喷嘴段高度过高会使喷嘴被炉内的高温灼伤,喷嘴高度过低又使喷入的料所能达到的高度过低而影响产品的后续生产,所以设置了较佳的喷嘴段高度和喷嘴孔大小,有利于多晶硅的沉积、产品致密度的增加,提高了产品的质量和产量,六角形的扳手夹持段便于使用扳手进行紧固。
搜索关键词: 多晶 还原 进料 喷嘴
【主权项】:
一种多晶硅还原炉进料喷嘴,连接在还原炉底盘的进料口处,其特征在于:所述进料喷嘴上部为喷嘴段,下部为连接段,所述进料喷嘴内部设有喷嘴孔,所述进料喷嘴与还原炉底盘的连接方式为可拆卸式连接。
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