[实用新型]多波长发光二极管无效
| 申请号： | 201020244508.3 | 申请日： | 2010-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN201918417U | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 林朝晖 | 申请（专利权）人： | 泉州市金太阳电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市鲤城区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种多波长发光二极管，包括：复数个多量子阱发光单元；位于所述复数个多量子阱发光单元上方的p型掺杂的AlGaN层、p+掺杂的GaN层，透明导电膜以及p型欧姆接触电极；位于所述复数个多量子阱发光单元下方的n+掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、GaN缓冲层、n型欧姆接触电极以及衬底；其中，所述复数个多量子阱发光单元所发出光线的波长沿光传播方向递减。本实用新型的多波长发光二极管能够发出多个波长的光线，混合后成为白光，从而提高能量转化效率并降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种多波长发光二极管，其特征在于包括：复数个多量子阱发光单元；位于所述复数个多量子阱发光单元上方的p型掺杂的AlGaN层、位于所述p型掺杂的AlGaN层上方的p+掺杂的GaN层，位于所述p+掺杂的GaN层上方的透明导电膜以及位于所述透明导电膜上方的p型欧姆接触电极；位于所述复数个多量子阱发光单元下方的n+掺杂的GaN层、位于所述n+掺杂的GaN层下发的n型掺杂的GaN层、位于所述n型掺杂的GaN层下方的GaN缓冲层、与所述n+掺杂的GaN层接触的n型欧姆接触电极，以及位于所述GaN缓冲层下方的衬底；其中，所述复数个多量子阱发光单元所发出光线的波长沿光传播方向递减。
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