[实用新型]二合一反应与熔融设备无效
申请号: | 201020270660.9 | 申请日: | 2010-07-23 |
公开(公告)号: | CN201773823U | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
发明(设计)人: | 子路·麦可·吴 | 申请(专利权)人: | 麦特瑞奇股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 英属维尔京群岛罗*** | 国省代码: | 维尔京群岛;VG |
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摘要: | 本实用新型提供一种二合一反应与熔融设备,主要包含有容器、第一进料阀口、第二进料阀口、坩埚、加热装置、第一出料阀口及第一排气阀口等装置。通过上述装置的组合,在坩锅内将第一反应原料与第二反应原料进行化学反应后,产生的第一反应生成物及热能,继续再利用上述的热能辅以加热装置,使得上述的第一反应生成物,在坩锅内再进行物理反应,使得第一反应生成物经高温熔融后可产生第二反应生成物。 | ||
搜索关键词: | 二合一 反应 熔融 设备 | ||
【主权项】:
一种二合一反应与熔融设备,其特征在于,主要包含有一容器,该容器的内部形成有一第一腔体;一第一进料阀口,设置于该容器的第一位置,用以供应一第一反应原料进入该容器的该第一腔体内;一第二进料阀口,设置于该容器的第二位置,用以供应一第二反应原料进入该第一腔体内;一坩埚,设置于该容器的内部,该坩埚的内部形成有一第二腔体,该第一反应原料与该第二反应原料于该第二腔体内发生化学反应以形成该第一反应生成物,且该第一反应生成物于该第二腔体内发生物理反应以形成一第二反应生成物;该坩埚具有至少一个透孔,该透孔用以导出该第二腔体内的该第二反应生成物;一加热装置,设置于该坩埚的外部;一第一出料阀口,设置于该容器的第三位置,用以导出该第二腔体内的第二反应生成物;以及一第一排气阀口,设置于该容器的第四位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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