[实用新型]非晶丝磁阻抗传感器有效

专利信息
申请号: 201020276182.2 申请日: 2010-07-30
公开(公告)号: CN201876535U 公开(公告)日: 2011-06-22
发明(设计)人: 韩喜萍 申请(专利权)人: 石家庄吉纳科技有限公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 050000 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 实用新型提供了一种非晶丝磁阻抗传感器,包括:非晶丝;信号采样线圈,缠绕在非晶丝上,用于检测外部磁场信息;激励电路,用于直接向非晶丝提供激励信号;和信号采集与处理电路,采集信号采样线圈输出的电压信号并对其进行处理,从而输出直流电压信号,其中,还包括并联谐振电路由电容(C1)与信号采样线圈并联组成,不仅可以选择出有效电压信号,还可以对所选的有效电压信号进行放大。因此,在本实用新型的非晶丝磁阻抗传感器中设置并联谐振电路不仅可以实现已知的选频作用,而且还可以实现对所选的有效电压信号进行放大的作用,这样就可以节省信号采集与处理电路中的放大电路部分。
搜索关键词: 非晶丝 磁阻 传感器
【主权项】:
一种非晶丝磁阻抗传感器,包括:非晶丝;信号采样线圈,缠绕在非晶丝上,用于检测外部磁场信息;激励电路,用于直接向非晶丝提供激励信号;和信号采集与处理电路,采集信号采样线圈输出的电压信号并对其进行处理,从而输出直流电压信号,其特征在于,还包括并联谐振电路由电容(C1)与信号采样线圈并联组成,不仅可以选择出有效电压信号,还可以对所选的有效电压信号进行放大。
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