[实用新型]桥臂半控的功率MOSFET功率因数校正器无效

专利信息
申请号: 201020289041.4 申请日: 2010-08-11
公开(公告)号: CN201726311U 公开(公告)日: 2011-01-26
发明(设计)人: 杨喜军;张永鑫;曹中圣 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H02M1/42 分类号: H02M1/42
代理公司: 上海交达专利事务所 31201 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种整流变压技术领域的桥臂半控的功率MOSFET功率因数校正器,包括:滤波电路、整流电路和升压电路,其中:滤波电路负责吸收高频电流和获得正弦波电流波形,整流电路完成将交流电压转换为正弦半波电压,升压电路完成功率因数校正和提升输出直流电压。本实用新型利用MOSFET损耗低的优点和并联二极管损耗低的优点降低损耗,提高效率。
搜索关键词: 桥臂半控 功率 mosfet 功率因数 校正
【主权项】:
一种桥臂半控的功率MOSFET功率因数校正器,其特征在于,包括:滤波电路、整流电路和升压电路,其中:滤波电路的输入端和输出端分别与单相电源和整流电路相连接,升压电路的输入端和输出端分别与整流电路和负载相连。
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