[实用新型]一种低功耗硅单晶生长热场装置有效
| 申请号： | 201020291768.6 | 申请日： | 2010-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN201883180U | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 邹攀;赵能伟;傅志斌;黄伟冬 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 杨志宇 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于光伏或半导体领域的硅单晶制造设备，尤其涉及一种用于CZ法直拉硅单晶生长的节能热场装置。该装置主要包括单晶炉壁(1)、保温装置(2)、单晶炉底板(3)、保温碳毡(4)、热场底板(5)、石英护套(6)、石墨护套(7)，其特征在于：在保温装置中增加了定位环(8)和支撑座(9)。通过本实用新型提供的定位环(8)和支撑座(9)不仅能够保证加热体与保温部件之间距离的均一性和对中性，同时也实现了单晶炉底板(3)和热场底板(5)之间的点接触，从而减少了两者之间直接面接触造成的热量流失，节省了能耗，同时也能有效防止因坩埚底部熔硅再结晶造成的漏硅现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 硅单晶 生长 装置 | ||
【主权项】：
一种低功耗硅单晶生长热场装置，包括单晶炉壁(1)、保温装置(2)、单晶炉底板(3)、保温碳毡(4)、热场底板(5)、石英护套(6)、石墨护套(7)，其特征在于：在保温装置(2)和保温碳毡(4)之间增加了支撑构件，从上至下依次为保温装置(2)、支撑构件、保温碳毡(4)。
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