[实用新型]CMOS-MEMS电容式传声器芯片有效
| 申请号： | 201020299839.7 | 申请日： | 2010-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN201789628U | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 宋青林;隋鸿鹏 | 申请（专利权）人： | 歌尔声学股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;H04R7/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 261031 山东省潍*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种CMOS-MEMS电容式传声器芯片，采用pre-cmos技术，包括IC电路部分和MEMS电容式传声器部分，MEMS传声器部分具有贯通孔的基底、设置在基底上方与基底对应的振膜支撑层、覆盖于振膜支撑层上方的振膜、设置在振膜上方的背极支撑层和设置在背极支撑层上方的背极，其中，在所述振膜的边缘地区设置有与所述振膜同心的环状的纹膜。利用本实用新型的纹膜和加强筋结构，不但能够有效增加振膜的振幅，从而在不改变芯片体积的前提下增加芯片中电容量的变化，进而增加电容式传声器的灵敏度，还能够使振膜上在纹膜内的有振膜加强筋的部分基本保持平动并增加传声器的电容变化率，避免振膜局部变形过大的问题，提高电容式传声器芯片的灵敏度并提高了电容式传声器芯片的可靠性。所述振膜采用Ge-Si材料，可以用相对较低的温度退火，减小对IC部分的影响。 | ||
| 搜索关键词： | cmos mems 电容 传声器 芯片 | ||
【主权项】：
一种CMOS MEMS电容式传声器芯片，其IC电路部分采用标准CMOS工艺制作；其MEMS部分包括具有贯通孔的基底、设置在基底上方与基底对应的振膜支撑层、覆盖于振膜支撑层上方的振膜、设置在振膜上方的背极支撑层和设置在背极支撑层上方的背极，其特征在于：在所述振膜的边缘地区设置有与所述振膜同心的环状的纹膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于歌尔声学股份有限公司，未经歌尔声学股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201020299839.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于电动汽车取暖的空调电加热装置
- 下一篇：卷盒收藏式耳机
