[实用新型]一种整流二极管无效
申请号: | 201020522061.1 | 申请日: | 2010-09-08 |
公开(公告)号: | CN201788976U | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 俞建;赵强;李治刿;李驰明;范德忠;魏广乾 | 申请(专利权)人: | 四川太晶微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/861 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人: | 李顺德 |
地址: | 629000 四川省遂宁市开发*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种整流二极管。本实用新型针对现有技术整流二极管芯片厚度大,不利于产品小型化的缺点,公开了一种平面结构的整流二极管。本实用新型的技术方案是,一种整流二极管,包括芯片和引出电极,所述芯片具有P区、N区及其形成的PN结,所述引出电极分别与P区和N区相连,所述P区和N区并排于所述芯片同一面,所述P区和N区横向相交形成PN结,所述引出电极位于所述芯片同一面。本实用新型降低了整流二极管厚度,有利于产品的小型化,引出电极位于芯片同一面,降低了芯片焊接工艺的复杂性。本实用新型特别适合制造表面贴装器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 整流二极管 | ||
【主权项】:
一种整流二极管,包括芯片和引出电极,所述芯片具有P区、N区及其形成的PN结,所述引出电极分别与P区和N区相连,其特征在于,所述P区和N区并排于所述芯片同一面,所述P区和N区横向相交形成PN结,所述引出电极位于所述芯片同一面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川太晶微电子有限公司,未经四川太晶微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201020522061.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种太阳能光伏组件的安装装置
- 下一篇:电子元件封装结构
- 同类专利
- 专利分类