[实用新型]由支持纳瓦技术MCU控制和组成的射频卡读写电路

摘要

由支持纳瓦技术MCU控制和组成的射频卡读写电路。涉及一种射频卡读写电路。能大幅度降低运行功耗。包括支持纳瓦技术的具有1-8脚的MCU，它还包括与射频卡通讯的谐振电路、检波电路、基准电压提供电路、比较接口和电源管理接口；谐振电路包括相互串接的电感L1和电容C1；检波电路包括二极管D1、电容C2、电容C3、电容C4和电阻R5；基准电压提供电路包括电阻R6、电阻R7、电阻R8、电容C5和基准电压源；比较接口包括MCU的2、3脚，2脚连接A接点，3脚连接B接点；电源管理接口包括MCU的1、8脚；MCU的4脚连接所述R14。本实用新型采用由支持纳瓦技术的MCU为核心，在读写之前进行电路检查，当发现与初始状态不符时关闭读写电路，给出报警提示，延长了电池寿命。

主权项

由支持纳瓦技术MCU控制和组成的射频卡读写电路，包括支持纳瓦技术的具有1 8脚的MCU(8)，其特征在于，它还包括与射频卡通讯的谐振电路(1)、检波电路(2)、基准电压提供电路(3)、比较接口(4)和电源管理接口(7)；所述谐振电路(1)包括相互串接的电感L1和电容C1；所述检波电路(2)包括二极管D1、电容C2、电容C3、电容C4和电阻R5；所述电容C1的一端接地，另一端分别于所述电感L1和二极管D1的正极端相连；所述电容C2和电阻R4的一端分别接地，电容C2和电阻R4的另一端分别于二极管D1的负极端和电阻R5的一端相连；电容C3和电容C4串接在电阻R5的后端，电容C4的尾端接地；在电容C3和电容C4之间有B接点；所述基准电压提供电路(3)包括电阻R6、电阻R7、电阻R8、电容C5和基准电压源；电阻R6、电阻R7、电阻R8和电容C5的一端共同连接于A接点，电容C5的另一端接地，电阻R8的另一端连接所述基准电压源，电阻R7的另一端接地，电阻R6的另一端分别连接所述B接点；所述比较接口(4)包括所述MCU的2、3脚，所述2脚连接所述A接点，所述3脚连接所述B接点；所述电源管理接口(7)包括所述MCU的1、8脚；所述MCU(8)的4脚连接所述电感L1。