[实用新型]一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统有效

专利信息
申请号: 201020531069.4 申请日: 2010-09-16
公开(公告)号: CN201842897U 公开(公告)日: 2011-05-25
发明(设计)人: 王利杰;郝建民;王香泉;孟大磊;洪颖;郭俊敏 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20;C30B29/36
代理公司: 信息产业部电子专利中心 11010 代理人: 梁军
地址: 300220*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 实用新型公开了一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统,包括:真空室、机械泵、分子泵、真空计、气动阀、质量流量控制计和针阀;进一步地,所述提纯及压力控制系统还包括:布置在机械泵与真空室间的压力控制系统,所述压力控制系统包括:测量所述真空室内压力值的压力传感器;将预设的压力值与所述压力传感器测量的压力值进行比较计算并输出压力控制指令的PID控制电路;以及,根据所述PID控制电路输出的压力控制指令调节所述低真空链路与所述真空室间阀门开启比例的压力控制执行部件。本实用新型能够对碳化硅单晶生长前的提纯工艺以及对碳化硅单晶生长过程中所涉及的各工艺提供稳定可靠的压力控制。
搜索关键词: 一种 碳化硅 生长 中的 提纯 压力 控制系统
【主权项】:
一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统,包括:真空室,以及分别与真空室相连的抽真空链路和充气链路,所述抽真空链路包括主要由机械泵组成的低真空链路和主要由分子泵和真空计组成的高真空链路;所述充气链路包括针阀、质量流量控制计和气动阀,其特征在于,所述碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统还包括:布置在所述机械泵与真空室间的压力控制系统,所述压力控制系统包括:测量所述真空室内压力值的压力传感器;将预设的压力值与所述压力传感器测量的压力值进行比较计算并输出压力控制指令的比例 积分 微分PID控制电路;以及,根据所述PID控制电路输出的压力控制指令调节所述低真空链路与所述真空室间阀门开启比例的压力控制执行部件。
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