[实用新型]一种用于金属有机物化学气相沉积的真空处理系统有效
申请号: | 201020535560.4 | 申请日: | 2010-09-17 |
公开(公告)号: | CN201901701U | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 尹志尧;陶珩 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种用于金属有机物化学气相沉积的真空处理系统,包括:具有若干个密封门的传输室,其内部设置有第一传输装置;与所述若干个密封门中的至少一个相连接的真空锁,其用于连接所述传输室和外界大气环境;与所述若干个密封门中的至少一个相连接的反应室,所述多片基片在所述反应室中进行金属有机物化学气相沉积处理;反应室辅助系统,其与所述反应室在空间分布上呈堆栈式排列;以及所述真空锁和所述反应室连接于传输室的周围。本实用新型还能够有效地节省洁净室的空间,并且能够实现基片在机台中的自动化传输,节约了人力物力成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 金属 有机物 化学 沉积 真空 处理 系统 | ||
【主权项】:
一种用于金属有机物化学气相沉积的真空处理系统,其特征在于,所述真空处理系统包括:具有若干个密封门的传输室,其内部设置有第一传输装置,至少一个放置有多片基片的载片盘可以通过所述第一传输装置经过所述密封门被传输;与所述若干个密封门中的至少一个相连接的真空锁,其用于连接所述传输室和外界大气环境,以在不损失所述传输室内的真空的前提下在外界大气环境和所述传输室之间对所述载片盘进行传输;与所述若干个密封门中的至少一个相连接的反应室,所述多片基片在所述反应室中进行金属有机物化学气相沉积处理;反应室辅助系统,其与所述反应室在空间分布上呈堆栈式排列;以及所述真空锁和所述反应室连接于传输室的周围。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的