[实用新型]PECVD腔体的内连接结构无效
| 申请号： | 201020544282.9 | 申请日： | 2010-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN201801590U | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 唐健敏;夏世伟 | 申请（专利权）人： | 上海太阳能科技有限公司;上海欣邦电气有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 201108 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种PECVD腔体的内连接结构，它包括相互连接的两个腔体以及连接螺栓和密封圈，在两个腔体的连接端分别设有一个向内翻边的内连接环，连接螺栓从两个腔体的内侧将两个内连接环连接，密封圈设置在两个腔体的连接面之间。本实用新型的PECVD腔体的内连接结构简化了设计，节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | pecvd 连接 结构 | ||
【主权项】：
一种PECVD腔体的内连接结构，包括相互连接的两个腔体，其特征在于：还包括连接螺栓和密封圈；所述的两个腔体的连接端分别设有一个向内翻边的内连接环，连接螺栓从两个腔体的内侧将两个内连接环连接，密封圈设置在两个腔体的连接面之间。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
