[实用新型]单面腐蚀酸制绒设备无效
申请号: | 201020547499.5 | 申请日: | 2010-09-29 |
公开(公告)号: | CN201796935U | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 刘彬 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及硅电池片制作技术领域,特别是一种单面腐蚀酸制绒设备,包括制绒槽,在制绒槽的上料端具有用于控制药液高度的上料端挡板,在制绒槽内具有输送硅片的下滚轮,降低制绒槽的上料端挡板的高度,该高度为使药液的液面刚好没过硅片下滚轮的高度。使用本设备进行单面制绒,硅片漂浮在液面上,一个面达到了制绒的效果,另一个面仍是硅片本身的性能,这有利于丝网背电场的印刷及电流的收集,从而提高效率;同时单面制绒也降低了机碎率。 | ||
搜索关键词: | 单面 腐蚀 酸制绒 设备 | ||
【主权项】:
一种单面腐蚀酸制绒设备,包括制绒槽(1),在制绒槽(1)的上料端具有用于控制药液高度的上料端挡板(2),其特征是:在所述的制绒槽(1)内具有输送硅片(4)的下滚轮(3),降低制绒槽(1)的上料端挡板(2)的高度,该高度为使药液的液面(5)刚好没过下滚轮(3)的高度。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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