[实用新型]阵列基板及液晶显示器有效

专利信息
申请号: 201020554515.3 申请日: 2010-09-30
公开(公告)号: CN201845779U 公开(公告)日: 2011-05-25
发明(设计)人: 刘翔;薛建设;刘圣烈 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/423;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种阵列基板及液晶显示器,其中阵列基板包括:衬底基板,衬底基板上形成有数据线和栅线;数据线和栅线围设形成像素单元;像素单元包括TFT开关和像素电极;TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层;栅电极连接栅线,源电极连接数据线,漏电极连接像素电极;栅线上覆盖有栅绝缘层;有源层形成于栅绝缘层上;还包括:辅助栅绝缘层和辅助栅电极;辅助栅绝缘层形成于栅线和栅电极上方;辅助栅电极形成于栅电极上方且被栅绝缘层覆盖,辅助栅电极与栅电极之间以辅助栅绝缘层相互间隔;辅助栅电极通过附加过孔与栅电极连接。本实用新型的阵列基板在保证栅绝缘层的厚度满足基本要求的情况下,可以增大充电电流。
搜索关键词: 阵列 液晶显示器
【主权项】:
一种阵列基板,包括衬底基板,所述衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅线;所述数据线和栅线围设形成矩阵形式排列的像素单元;每个像素单元包括TFT开关和像素电极;每个所述TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和形成于栅电极、源电极和漏电极之间的有源层;栅电极连接栅线,源电极连接数据线,漏电极连接像素电极;所述栅线上覆盖有栅绝缘层;所述有源层形成于所述栅绝缘层上;其特征在于,还包括:辅助栅绝缘层和辅助栅电极;所述辅助栅绝缘层覆盖于所述栅线和所述栅电极上方;所述辅助栅电极形成于所述栅电极上方且被所述栅绝缘层覆盖,所述辅助栅电极与所述栅电极之间以所述辅助栅绝缘层相互间隔;所述辅助栅电极与所述栅电极连接。
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