[实用新型]LPCVD垂直炉管的石英连接件无效
| 申请号： | 201020566490.9 | 申请日： | 2010-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN201817545U | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 施浩;陈骏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种LPCVD垂直炉管的石英连接件，包括一石英圆管，圆管的顶部一侧设有挡板；圆管的底部内壁设有连接管。本实用新型用于TEOS工艺中，能够减少生成物对管壁的增长，从而避免生成物将manifold至pump-line的出口堵住，减少PM频度；本实用新型还能够控制颗粒，减少颗粒掉落的机会。 | ||
| 搜索关键词： | lpcvd 垂直 炉管 石英 连接 | ||
【主权项】：
一种LPCVD垂直炉管的石英连接件，其特征在于：包括一石英圆管，圆管的顶部一侧设有挡板；圆管的底部内壁设有连接管。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
