[实用新型]陶瓷衬底的氮化镓基芯片无效
| 申请号： | 201020574260.7 | 申请日： | 2010-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN202058735U | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 金木子;彭刚 | 申请（专利权）人： | 金木子 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02;H01L21/02;H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型的陶瓷衬底的正装结构的氮化镓基芯片包括陶瓷衬底、缓冲层和氮化镓基外延层。陶瓷衬底包括，氮化铝陶瓷衬底、氧化铝陶瓷衬底、碳化硅陶瓷衬底、氮化硼陶瓷衬底、氧化锆陶瓷衬底、氧化镁陶瓷衬底。缓冲层的结构包括，低温氮化铝层、成分分层结构、高温氮化铝层、中间媒介层、它们的组合。成分分层结构包括，氮化镓-铝镓氮-氮化铝(AlxGa1-xN)，其中0≤X≤1。中间媒介层有单层或多层结构，中间媒介层包括，金属元素铝、钛、钒、铬、钪、锆、铪、钨、铊、镉、铟、金、上述金属元素的组合、上述金属元素的合金、上述金属的氮化物。本实用新型的基于陶瓷衬底的垂直结构的氮化镓基芯片包括导电支持衬底和氮化镓基外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 衬底 氮化 芯片 | ||
【主权项】：
陶瓷衬底的正装结构的氮化镓基芯片，其特征在于，所述的氮化镓基芯片的组成部分包括陶瓷衬底、缓冲层和氮化镓基外延层；其中，所述的缓冲层形成在所述的陶瓷衬底上，所述的氮化镓基外延层形成在所述的缓冲层上；所述的氮化镓基外延层的组成部分包括依次形成的第一类型限制层、活化层、第二类型限制层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于金木子，未经金木子许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201020574260.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
