[实用新型]用于低功耗VLSI的电荷自补偿多米诺电路无效

专利信息
申请号: 201020574370.3 申请日: 2010-10-15
公开(公告)号: CN202043092U 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 汪金辉;吴武臣;侯立刚;宫娜;耿淑琴;张旺;袁颖 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H03K19/017 分类号: H03K19/017;H03K19/096
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 魏聿珠
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型涉及用于低功耗VLSI的电荷自补偿多米诺电路,是种电荷自补偿多米诺电路,即在多米诺电路中加入电荷自补偿通路,利用P型多米诺电路动态结点的放电对N型多米诺电路的动态结点充电,电荷自补偿通路包括:P型时钟控制的自补偿通路,由PMOS管PP,NMOS管NP1和NP2组成,NP1的栅极为时钟信号控制端;N型时钟控制的自补偿通路,由PMOS管PN1和PN2,NMOS管NN组成,PN2的栅极为时钟信号控制端。电荷自补偿通路位于P型动态结点和N型动态结点之间。本实用新型提出的多米诺电路节约充放电功耗,提高电路的性能。
搜索关键词: 用于 功耗 vlsi 电荷 补偿 多米诺 电路
【主权项】:
用于低功耗VLSI的电荷自补偿多米诺电路,包含有标准的N型和P型多米诺电路;标准的N型多米诺电路包括输入信号端,输出信号端,时钟信号端,上拉管P1,保持管P2,时钟管Nc,输出静态反相器和下拉网络PDN;标准的P型多米诺电路包括输入信号端,输出信号端,时钟信号端,下拉管N1,保持管N2,时钟管Pc,输出静态反相器和上拉网络PUN;其特征在于:用于低功耗VLSI的电荷自补偿多米诺电路由标准的N型多米诺电路和标准的P型多米诺电路交替互联组成,包含P型时钟控制的自补偿通路、N型时钟控制的自补偿通路两种通路,其中:P型时钟控制的自补偿通路:由PMOS管PP,NMOS管NP1和NMOS管NP2组成,PMOS管PP的栅极和源极连接于N型动态结点Vn,PMOS管PP的漏极连接NMOS管NP1的漏极,NMOS管NP1的源极连接NMOS管NP2的漏极,NMOS管NP2的源极和栅极连接P型动态结点Vp,NMOS管NP1的栅极连接P型时钟信号控制端;N型时钟控制的自补偿通路:由PMOS管PN1和PMOS管PN2,NMOS管NN组成,PMOS管PN1的栅极和源极连接于N型动态结点Vn,PMOS管PN1的漏极连接PMOS管PN2的源极,PMOS管PN2的漏极连接NMOS管NN的漏极,NMOS管NN的源极和栅极连接P型动态结点Vp,PN2的栅极连接N型时钟信号控制端;用于低功耗VLSI的电荷自补偿多米诺电路中,所有PMOS管的衬底接电源电压,所有NMOS管的衬底接地电压。
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