[实用新型]一种功率半导体器件封装结构

摘要

本实用新型提供了一种功率半导体器件封装结构，属于功率半导体器件封装领域，该功率半导体器件封装结构的特点在于：在功率半导体圆片划片槽内设有硅通孔，并在硅通孔内设有将功率半导体背面电极引致圆片正面的金属线；引致功率半导体正面的背面电极与正面电极通过重新布线并在功率半导体正面形成金属凸点，从而形成功率半导体。此功率半导体结构的功率半导体芯片与封装体的面积比接近于1：1，大大提高了芯片面积与封装面积的比值，利于便携式电子产品小型化发展。

主权项

一种功率半导体器件封装结构，其特征在于：所述功率半导体圆片划片槽内设有硅通孔，所述硅通孔内部设有将功率半导体背面的背面电极引致圆片正面的金属线；所述功率半导体正面设有第一绝缘层，所述第一绝缘层上与正面电极对应部分设有第一通孔，所述第一通孔处沉积有金属层；所述第一绝缘层、正面电极对应的金属层、与背面电极连接的金属线上设有第二绝缘层，所述第二绝缘层与正面电极和金属线对应部分设有第二通孔；所述第二绝缘层上部及第二通孔处设有将正面电极和背面电极位置进行排布的金属铜线；所述第二绝缘层、金属铜线上设有第一保护层，所述第一保护层上设有与正面电极和背面电极对应的第三通孔；所述第三通孔处设有将正面电极和背面电极信号引出的金属凸点。