[实用新型]高压MOSFET驱动电路有效

专利信息
申请号: 201020584865.4 申请日: 2010-11-01
公开(公告)号: CN201918891U 公开(公告)日: 2011-08-03
发明(设计)人: 卢艳;窦志源;曹萍萍 申请(专利权)人: 天水华天微电子股份有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 甘肃省知识产权事务中心 62100 代理人: 马英
地址: 741000*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 一种高压MOSFET驱动电路,包括驱动开关组件第一高压开关电路PMOSFET和第二高压开关电路NMOSFET外,还包括第一电平位移电路,第二电平位移电路,第一分压电路,第二分压电路,第一栅极控制电路及第二栅极控制电路;在驱动开关组件高压PMOSFET和高压NMOSFET的主通道上用稳压二极管代替传统高压MOSFET驱动电路中的三极管,大大的减小了整个驱动电路的静态功耗;而且直接用电阻分压的方式保证驱动开关组件高压PMOSFET和高压NMOSFET它们的栅源极间电压不超过最大栅源极间电压值,既可以保证最大栅源极间电压的限制,还可以有效的降低整个电路的负载调整率。
搜索关键词: 高压 mosfet 驱动 电路
【主权项】:
一种高压MOSFET驱动电路,包括驱动开关组件第一高压开关电路PMOSFET和第二高压开关电路NMOSFET,其特征在于:它还包括第一电平位移电路,第二电平位移电路,第一分压电路,第二分压电路,第一栅极控制电路及第二栅极控制电路;所述第一分压电路的一端接整个电路的最高电位,其另一端与所述第一电平位移电路的一端耦接于A;而该第一电平位移电路的另一端与所述第二电平位移电路的一端相连并耦接于输入信号Vin;该第二电平位移电路的另一端与第二分压电路的一端耦接于B;第二分压电路的另一端接整个电路的最低电平;所述第一分压电路的输出C与第一栅极控制电路的输入相连,第一栅极控制电路的输出E直接控制第一高压开关电路PMOSFET,同时直流高压正电源Vdd也与第一栅极控制电路和第一高压开关电路PMOSFET相连;所述第二分压电路的输出D与第二栅极控制电路的输入相连,第二栅极控制电路的输出F直接控制第二高压开关电路NMOSFET,同时直流高压负电源 Vss也与第二栅极控制电路和第二高压开关电路NMOSFET相连。
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