[实用新型]高压MOSFET驱动电路有效
申请号: | 201020584865.4 | 申请日: | 2010-11-01 |
公开(公告)号: | CN201918891U | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | 卢艳;窦志源;曹萍萍 | 申请(专利权)人: | 天水华天微电子股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人: | 马英 |
地址: | 741000*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种高压MOSFET驱动电路,包括驱动开关组件第一高压开关电路PMOSFET和第二高压开关电路NMOSFET外,还包括第一电平位移电路,第二电平位移电路,第一分压电路,第二分压电路,第一栅极控制电路及第二栅极控制电路;在驱动开关组件高压PMOSFET和高压NMOSFET的主通道上用稳压二极管代替传统高压MOSFET驱动电路中的三极管,大大的减小了整个驱动电路的静态功耗;而且直接用电阻分压的方式保证驱动开关组件高压PMOSFET和高压NMOSFET它们的栅源极间电压不超过最大栅源极间电压值,既可以保证最大栅源极间电压的限制,还可以有效的降低整个电路的负载调整率。 | ||
搜索关键词: | 高压 mosfet 驱动 电路 | ||
【主权项】:
一种高压MOSFET驱动电路,包括驱动开关组件第一高压开关电路PMOSFET和第二高压开关电路NMOSFET,其特征在于:它还包括第一电平位移电路,第二电平位移电路,第一分压电路,第二分压电路,第一栅极控制电路及第二栅极控制电路;所述第一分压电路的一端接整个电路的最高电位,其另一端与所述第一电平位移电路的一端耦接于A;而该第一电平位移电路的另一端与所述第二电平位移电路的一端相连并耦接于输入信号Vin;该第二电平位移电路的另一端与第二分压电路的一端耦接于B;第二分压电路的另一端接整个电路的最低电平;所述第一分压电路的输出C与第一栅极控制电路的输入相连,第一栅极控制电路的输出E直接控制第一高压开关电路PMOSFET,同时直流高压正电源Vdd也与第一栅极控制电路和第一高压开关电路PMOSFET相连;所述第二分压电路的输出D与第二栅极控制电路的输入相连,第二栅极控制电路的输出F直接控制第二高压开关电路NMOSFET,同时直流高压负电源 Vss也与第二栅极控制电路和第二高压开关电路NMOSFET相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天水华天微电子股份有限公司,未经天水华天微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201020584865.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:双层叠片式贴片型整流全桥
- 下一篇:抽油机电机移位校正调节专用工具
- 同类专利
- 专利分类
H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置