[实用新型]一种有栅板式硅粉阻挡器的三氯硅烷合成装置无效

专利信息
申请号: 201020604447.7 申请日: 2010-11-13
公开(公告)号: CN201857274U 公开(公告)日: 2011-06-08
发明(设计)人: 吴卫星;李海军;刘军;潘伦桃;杨君;吕建波;陈其顺;张治;张文华;张建成;张汝有 申请(专利权)人: 宁夏阳光硅业有限公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 宁夏专利服务中心 64100 代理人: 叶学军
地址: 753202 宁夏回*** 国省代码: 宁夏;64
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及一种包括氯化氢气体供气管道(18)、氯化氢气体缓冲室(17)、氯化氢气体分配板(50)、氯化氢与硅粉反应的反应室(11)、硅粉加料口(14)、硅粉和气体进行分离的气-固分离室(12)及反应气体取出口(13)的三氯硅烷合成装置(10b),还包括一栅板式硅粉阻挡器(60b)和旋转式吹气管(32),所述的栅板式硅粉阻挡器(60b)包括:栅板条(62b)、由栅板条组成的有方形孔(61b)的栅板(64b)和加固环(63b),和将多层所述的栅板加固环(63b)连接组成栅板式硅粉阻挡器的支柱(65b)。所述的栅板式硅粉阻挡器(60b)被安装在三氯硅烷合成装置反应室(11)上部的扩径部的上部气固分离室(12)中,在所述气固分离室顶部的吹气管(32)下方;所述的旋转式吹气管可以将高压气体吹送到硅粉阻挡器的各部位。按照本实用新型,上升到气固分离室里的硅粉部分地沉降或吸附在硅粉阻挡器上,并被载气吹送到反应室里与氯化氢气体反应,因此,三氯硅烷转化率高,节约能源,生产效率高。
搜索关键词: 一种 板式 阻挡 硅烷 合成 装置
【主权项】:
一种三氯硅烷合成装置,包括氯化氢气体进气口、氯化氢气体缓冲室、氯化氢气体分配板、氯化氢与硅粉反应的反应室、硅粉加料口、硅粉和气体进行分离的气 固分离室及反应气体取出口,其特征在于在气 固分离室下部设有栅板式硅粉阻挡器,气固分离室顶部设有吹气管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁夏阳光硅业有限公司,未经宁夏阳光硅业有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201020604447.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top