[实用新型]一种过流过压保护IC芯片有效
| 申请号： | 201020620537.5 | 申请日： | 2010-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN201868431U | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 周明;申云 | 申请（专利权）人： | 南通明芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 226634 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种过流过压保护IC芯片，涉及一种半导体器件的制造技术领域，在P-区的两面局部分别矩阵设置P扩散区，在所述P-区及P扩散区的另一面分别设置N扩散区，在所述N扩散区的外侧分别设置玻璃钝化区，在所述N扩散区表面局部分别设置P+扩散区，在部分所述P+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述设置有镀膜区的P+扩散区的外侧、其余P+扩散区的外表面及N扩散区的外表面分别设置PN结平面SiO2保护区。本实用新型的结电容低，漏电流控制小，保护电压可由扩散条件调节和控制，拓宽了产品材料电阻率的使用范围，有效解决了保护电压对材料电阻率的依赖，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 流过 保护 ic 芯片 | ||
【主权项】：
一种过流过压保护IC芯片，其特征在于在P 区的两面局部分别矩阵设置P扩散区，在所述P 区及P扩散区的另一面分别设置N扩散区，在所述N扩散区的外侧分别设置玻璃钝化区，在所述N扩散区表面局部分别设置P+扩散区，在部分所述P+扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述设置有镀膜区的P+扩散区的外侧、其余P+扩散区的外表面及N扩散区的外表面分别设置PN结平面SiO2保护区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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