[实用新型]硅液面位置控制装置有效
| 申请号： | 201020623322.9 | 申请日： | 2010-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN201873777U | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 汤旋 | 申请（专利权）人： | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 314117 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例公开了一种硅液面位置控制装置，该控制装置安装在单晶炉上的观测窗口上，包括：激光发射器、激光接收器和控制回路，激光发射器可调节的设置在单晶炉上的第一观测窗口；激光接收器用于接收激光发射器的光束显示硅液面的变化，并可调节的设置在单晶炉上的第二观测窗口上；控制回路接收激光接收器的信号，并根据该信号控制单晶炉上的马达控制坩埚的至目标位置。本实用新型实施例中的装置通过激光接收器接收到的激光发射器发射出的光束角度的变化进而得知硅液面距离热屏位置的变化，然后控制回路根据检测到的信号，控制马达的工作状态进而实现实时调控坩埚的跟随比，使得坩埚始终保持在最佳的生长状态，进而提高了晶体的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 液面 位置 控制 装置 | ||
【主权项】：
一种硅液面位置控制装置，该控制装置安装在单晶炉上的观测窗口上，其特征在于，包括：激光发射器、激光接收器和控制回路，所述激光发射器可调节的设置在所述单晶炉上的第一观测窗口；所述激光接收器用于接收所述激光发射器的光束显示硅液面的变化，并可调节的设置在所述单晶炉上的第二观测窗口上；所述控制回路接收所述激光接收器的信号，并根据该信号控制所述单晶炉上的马达控制坩埚的至目标位置。
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