[实用新型]改良式硅芯片承载装置无效
| 申请号： | 201020624458.1 | 申请日： | 2010-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN201868407U | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 杨新兴;张育升;张颢骞;叶耿伟;陈威有;林俊良 | 申请（专利权）人： | 茂迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 郭鸿禧;张军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种改良式硅芯片承载装置，其包括承载板体及供气单元。所述承载板体具有至少一个钻孔及至少一个导槽，而承载板体与被承载的硅芯片呈真空吸附状态。此外，供气单元设置于承载板体的周围，并提供气流以通过承载板体的钻孔，从而破除承载板体与硅芯片的真空吸附状态。由此，承载板体与硅芯片之间的真空吸附力被解除后，可利用吸附单元快速吸取硅芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 改良 芯片 承载 装置 | ||
【主权项】：
一种改良式硅芯片承载装置，其特征在于该装置包括：承载板体，具有至少一个钻孔；以及供气单元，设置于所述承载板体的周围，该供气单元提供气流，该气流通过所述至少一个钻孔，以破除所述承载板体与被承载的硅芯片之间所呈现的真空吸附状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
