[实用新型]一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套无效
| 申请号： | 201020632855.3 | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN201890950U | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李留臣 | 申请（专利权）人： | 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 213200 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套，包括同轴设置的法兰一、内套筒和外套筒，法兰一的盘体上开有充气孔和环形凹槽一，内套筒固定在法兰一盘体的内部侧壁上，环形凹槽一与内套筒形成缓冲腔，且充气孔与缓冲腔相通，外套筒固定在法兰一的盘体下端面上且位于内套筒的外侧，且在外套筒和内套筒之间形成充气缝隙，充气缝隙与缓冲腔相通。本实用新型结构简单，设计合理，能提高系统的稳定性，并能有效地提高硅单晶的生长速度，提高生产效率，广泛适用于半导体硅单晶生长设备和其它单晶生长设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直拉式硅单晶 生长 气冷 | ||
【主权项】：
一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套，其特征在于，包括同轴设置的法兰一（1）、内套筒（4）和外套筒（9），所述法兰一（1）的盘体上开有一径向方向的充气孔（2），所述内套筒（4）固定在所述法兰一（1）盘体的内部侧壁上，在所述法兰一（1）的盘体内侧开有环形凹槽一，所述环形凹槽一与内套筒（4）形成环形且密闭的缓冲腔（3），所述充气孔（2）与所述缓冲腔（3）相通；所述外套筒（9）固定在法兰一（1）的盘体下端面上且位于内套筒（4）的外侧，所述外套筒（9）和内套筒（4）之间形成环形的充气缝隙（10），所述充气缝隙（10）与所述缓冲腔（3）相通。
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