[实用新型]一种新型高效的半导体致冷器件结构有效
| 申请号： | 201020640114.X | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN201992904U | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 梅立功 | 申请（专利权）人： | 厦门海库电子有限公司 |
| 主分类号： | F25B21/02 | 分类号： | F25B21/02 |
| 代理公司： | 厦门龙格专利事务所(普通合伙) 35207 | 代理人： | 郑晓荃 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种新型高效的半导体致冷器件结构，包括含有一冷面及一热面的碲-铋-锑合金晶粒阵列、散热片、热交换器，所述的碲-铋-锑合金晶粒阵列热面直接设置在阳极氧化处理形成电绝缘层的铝制热交换器上，冷面借由一陶瓷板密封，铝散热片或铝制热交换器设置在陶瓷板上；本实用新型将碲-铋-锑合金晶粒阵列热面直接设置在阳极氧化处理形成电绝缘层的铝制热交换器上，冷面借由陶瓷板设置在阳极氧化处理形成电绝缘层的铝散热片或铝制热交换器上，热面不用普通半导体致冷器件中的陶瓷板，散热片或热交换器为铝合金，该结构热面省去中间介质氧化铝陶瓷板和导热硅胶，工作效率更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 高效 半导体 致冷 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种新型高效的半导体致冷器件结构，包括含有一冷面及一热面的碲 铋 锑合金晶粒阵列、散热片、热交换器，其特征在于：所述的碲 铋 锑合金晶粒阵列热面直接设置在阳极氧化处理形成电绝缘层的铝制热交换器上，冷面借由一陶瓷板密封，铝散热片或铝制热交换器设置在陶瓷板上。
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