[实用新型]逆变晶闸管芯片无效
申请号: | 201020644583.9 | 申请日: | 2010-11-29 |
公开(公告)号: | CN201910424U | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 徐爱民;顾标琴 | 申请(专利权)人: | 润奥电子(扬州)制造有限公司 |
主分类号: | H01L29/74 | 分类号: | H01L29/74;H01L29/423 |
代理公司: | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人: | 孙忠明 |
地址: | 225006 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 逆变晶闸管芯片,包括依次层叠的钼基片、阳极、长基区和短基区,其放大门极(1)、门极(2)和阴极(3)设置在所述短基区的上表面,其中,所述放大门极布置成渐开线形式。本实用新型的逆变晶闸管芯片的放大门极采用渐开线布置形式,其开通均匀、开通时间短、di/dt高并具有良好的di/dt承受能力,产品性能优越。经过检测,本实用新型逆变晶闸管芯片的di/dt高,可达到1000A/μs,工作频率可达到5000HZ,并且产品的一致性良好。此外,本实用新型的逆变晶闸管芯片结构简单,成本低廉,便于大规模生产,生产效率高。 | ||
搜索关键词: | 晶闸管 芯片 | ||
【主权项】:
逆变晶闸管芯片,包括依次层叠的钼基片(8)、阳极(7)、长基区(6)和短基区(5),该逆变晶闸管芯片的放大门极(1)、门极(2)和阴极(3)设置在所述短基区(5)的上表面,其特征是,所述放大门极(1)布置成渐开线形式。
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