[实用新型]交流表面贴片式垂直结构半导体发光二极管无效
申请号: | 201020657137.1 | 申请日: | 2010-12-14 |
公开(公告)号: | CN202111096U | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 金木子;彭刚 | 申请(专利权)人: | 金木子 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/36;H01L33/62;H01L33/64 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100871 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 交流表面贴片式垂直结构半导体发光二极管包括,多个直流垂直结构LED单元芯片,垂直结构LED单元芯片按照预定的正反向并联或桥式整流的方式电连接。垂直结构LED单元包括,(A)半导体外延薄膜;半导体外延薄膜设置在通孔支持衬底的金属膜上。(B)钝化层;钝化层覆盖通孔支持衬底、金属膜和半导体外延薄膜;在半导体外延薄膜的上方的钝化层上的预定的位置上形成窗口;在金属膜的上方的钝化层上的预定的位置上形成窗口;(C)金属电极;金属电极通过窗口层叠在半导体外延薄膜上并向预定的相邻的垂直结构LED单元的金属膜延伸并通过在相邻的垂直结构LED单元的金属膜上的窗口与该金属膜形成电连接,使得两个相邻的垂直结构LED单元形成电连接。 | ||
搜索关键词: | 交流 表面 贴片式 垂直 结构 半导体 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种交流表面贴片式垂直结构LED芯片,其特征在于,所述的交流表面贴片式垂直结构LED芯片包括,通孔支持衬底和多个直流的垂直结构LED单元芯片;其中,所述的通孔支持衬底包括绝缘支架,所述的绝缘支架的预定位置上形成多个通孔,所述的通孔中填充金属栓,所述的绝缘支架的第二主表面上形成互相电绝缘的N‑电极和P‑电极;所述的绝缘支架的与所述的第二主表面相对的第一主表面上形成互相电绝缘的N电极‑金属膜、P电极‑金属膜和多个金属膜;所述的N‑电极和P‑电极分别通过所述的金属栓与所述的N电极‑金属膜和P电极‑金属膜电连接;所述的直流垂直结构LED单元芯片包括所述的绝缘支架的第一主表面上的多个所述的金属膜、层叠在所述的金属膜上的半导体外延薄膜、钝化层和金属电极;其中,所述的金属电极把所述的N电极‑金属膜、多个所述的半导体外延薄膜和所述的P电极‑金属膜按照预定的方式形成正反向并联或桥式整流的电连接,形成交流表面贴片式垂直结构LED芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的