[实用新型]有机发光器件像素电路的双栅薄膜晶体管结构有效
| 申请号： | 201020661812.8 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN201893344U | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 洪宣杓;闫晓剑 | 申请（专利权）人： | 四川虹视显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L23/52;G09G3/32 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及有机发光器件像素电路的双栅薄膜晶体管结构，包括位于最下层的活性层，位于活性层之上的栅绝缘层和位于栅绝缘层之上的栅电极层，活性层的左右两端分别和源电极和漏电极连接，活性层呈“一”字形，活性层之上的栅电极层由两条平行的金属薄膜带组成，所述金属薄膜带在活性层的中间位置形成两处交叉点，两条金属薄膜带通过活性层的上方后在活性层的一侧交汇连接。本实用新型的有益效果是：相对于现有技术中开关晶体管T1的上方只有一个金属薄膜带与活性层的交叉点，增加了金属薄膜带与活性层的交叉点后，使得开关晶体管T1的开关效果更好，可以更好的抑制漏电流的产生，因此可以取得更好的显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 发光 器件 像素 电路 薄膜晶体管 结构 | ||
【主权项】：
有机发光器件像素电路的双栅薄膜晶体管结构，包括位于最下层的活性层，位于活性层之上的栅绝缘层和位于栅绝缘层之上的栅电极层，活性层的左右两端分别和源电极和漏电极连接，其特征在于，所述活性层呈“一”字形，活性层之上的栅电极层由两条平行的金属薄膜带组成，所述金属薄膜带在活性层的中间位置形成两处交叉点，两条金属薄膜带通过活性层的上方后在活性层的一侧交汇连接。
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