[实用新型]一种用于硅片清洗后的快速干燥装置有效

专利信息
申请号: 201020662808.3 申请日: 2010-12-08
公开(公告)号: CN201935527U 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 盛方毓;冯泉林;闫志瑞;葛钟;库黎明;索思卓 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
主分类号: F26B5/00 分类号: F26B5/00;F26B21/14;H01L21/00
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 郭佩兰
地址: 100088*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种用于硅片清洗后的快速干燥装置,它包括:多孔螺旋式高压雾化装置,控温加热室,干燥槽,阀门组,氮气供应管路,其中氮气主管路将多孔螺旋式高压雾化装置、加热控温室、干燥槽依次串联,同时在氮气主管路入口位置引入一条氮气旁路,该旁路管道通过阀门接一三通,三通另二个出口分别接在多孔螺旋式高压雾化装置出口、加热控温室入口,高压雾化装置进、出口分别设阀门1和阀门2。本实用新型的优点是:可以使IPA汽雾中IPA的粒径更小,以此达到均匀快速的干燥硅片的目的。
搜索关键词: 一种 用于 硅片 清洗 快速 干燥 装置
【主权项】:
一种用于硅片清洗后的快速干燥装置,其特征在于:它包括:多孔螺旋式高压雾化装置,控温加热室,干燥槽,阀门组,氮气供应管路,其中氮气主管路将多孔螺旋式高压雾化装置、加热控温室、干燥槽依次串联,同时在氮气主管路入口位置引入一条氮气旁路,该旁路管道通过阀门接一三通,三通另二个出口分别接在多孔螺旋式高压雾化装置出口、加热控温室入口,高压雾化装置进、出口分别设阀门1和阀门2。
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