[实用新型]一种N型硅太阳能电池有效
申请号: | 201020676732.X | 申请日: | 2010-12-21 |
公开(公告)号: | CN201966219U | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 杨智;王栩生;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0352;H01L31/0216 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋 |
地址: | 215129 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种N型硅太阳能电池,包括N型衬底,所述N型衬底的正面设有P型选择性发射结层,所述P型选择性发射结层包括P型高浓度扩散区域和P型低浓度扩散区域;所述P型选择性发射结层上设有钝化层,钝化层上设有减反射层,减反射层上设有金字塔绒面结构层,金字塔绒面结构层上附设金属正电极;所述N型衬底的背面设有N型选择性发射结层,所述N型选择性发射结层包括N型高浓度扩散区域和N型低浓度扩散区域;所述N型选择性发射结层上设有减反射层,减反射层上设有金字塔绒面结构层,金字塔绒面结构层上附设金属负电极。本实用新型具有较好的光电转换性能,其平均光电转换效率在20%以上,具有显著的效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种N型硅太阳能电池,包括N型衬底(1),其特征在于:所述N型衬底的正面设有P型选择性发射结层,所述P型选择性发射结层包括P型高浓度扩散区域(21)和P型低浓度扩散区域(31);所述P型选择性发射结层上设有钝化层(4),钝化层上设有减反射层(5),减反射层上设有金字塔绒面结构层(6),金字塔绒面结构层上附设金属正电极(7);所述N型衬底的背面设有N型选择性发射结层,所述N型选择性发射结层包括N型高浓度扩散区域(22)和N型低浓度扩散区域(32);所述N型选择性发射结层上设有减反射层(5),减反射层上设有金字塔绒面结构层(6),金字塔绒面结构层上附设金属负电极(8)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的