[实用新型]一种基于BCD工艺的level shifter电路无效
| 申请号： | 201020676750.8 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN201956998U | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 覃正才;吴大军;刘启付;吕回;牛祺;李长虹;郑佳鹏;胡冬梅;左言胜 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙) 31241 | 代理人： | 章蔚强 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种基于BCD工艺的level shifter电路，它包括依次串联在一外部电源与地之间的第一限流模块和第一MOS管、依次串联在所述外部电源与地之间的第二限流模块和第二MOS管、并联在所述第一MOS管的漏极和源极之间的第一电压钳位模块以及并联在所述第二限流模块两端的且相互串联的第二电压钳位模块和第三限流模块。本实用新型有效避免了电平转换电路本身MOS管的栅源电压VGS过大的问题，同时电路输出的电压又可以去开启和关闭后面的被控电路，而不会造成其损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 bcd 工艺 level shifter 电路 | ||
【主权项】：
一种基于BCD工艺的level shifter电路，其特征在于，所述电路包括依次串联在一外部电源与地之间的第一限流模块和第一MOS管、依次串联在所述外部电源与地之间的第二限流模块和第二MOS管、并联在所述第一MOS管的漏极和源极之间的第一电压钳位模块以及并联在所述第二限流模块两端的且相互串联的第二电压钳位模块和第三限流模块，其中，所述第一MOS管的栅极接收一使能输入信号，其漏极输出第一使能输出信号；所述第二MOS管的栅极与所述第一MOS管的漏极连接，其源极接地；所述第二电压钳位模块和第三限流模块之间输出第二使能输出信号。
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