[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 201080001345.9 | 申请日： | 2010-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN101999147A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 黑田直喜;山上由展 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/41 | 分类号： | G11C11/41;G11C11/412;G11C11/413 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储装置。该半导体存储装置包括第一及第二反相器(20、30)、互补金属氧化物半导体开关(40)、读出用金属氧化物半导体晶体管(51)以及金属氧化物半导体开关(52)，该第一及第二反相器(20、30)通过使两者中的一方的输出端与另一方的输入端相互连接，来储存数据，该互补金属氧化物半导体开关(40)使第一反相器(20)的输入端与写入用位线(WBL)相连接，该读出用金属氧化物半导体晶体管(51)在栅极上连接有第一反相器(20)的输出端，该金属氧化物半导体开关(52)使该金属氧化物半导体晶体管(51)与读出用位线(RBL)相连接。第一及第二反相器(20、30)的大小互不相同，并且该第一及第二反相器(20、30)所连接的源极电源彼此不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，包括第一及第二反相器、第一金属氧化物半导体开关、第一金属氧化物半导体晶体管以及第二金属氧化物半导体开关，该第一及第二反相器通过使该第一及第二反相器中一方的输出端与另一方的输入端相互连接，来储存数据，该第一金属氧化物半导体开关使所述第一反相器的输入端与写入用位线相连接，该第一金属氧化物半导体晶体管在栅极上连接有所述第一反相器的输出端，该第二金属氧化物半导体开关使所述第一金属氧化物半导体晶体管与读出用位线相连接，其特征在于：第一金属氧化物半导体开关是主要由P沟道型金属氧化物半导体晶体管及N沟道型金属氧化物半导体晶体管构成的互补金属氧化物半导体开关；所述第一及第二反相器的大小互不相同，构成所述第二反相器的P沟道型金属氧化物半导体晶体管的源极电源与构成所述第一反相器的P沟道型金属氧化物半导体晶体管的源极电源不同，并且构成所述第二反相器的N沟道型金属氧化物半导体晶体管的源极电源与构成所述第一反相器的N沟道型金属氧化物半导体晶体管的源极电源不同。
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